Giant Electro-Optical Effect sa Ge/SiGe Coupled Quantum Wells

Ang mga photonic na nakabase sa Silicon ay kasalukuyang itinuturing na susunod na henerasyong platform ng photonics para sa mga naka-embed na komunikasyon.Gayunpaman, ang pagbuo ng mga compact at low power optical modulators ay nananatiling isang hamon.Dito naiulat namin ang isang higanteng electro-optical na epekto sa Ge / SiGe na isinama sa mga balon ng quantum.Ang promising effect na ito ay batay sa anomalyang quantum Stark effect dahil sa hiwalay na pagkakakulong ng mga electron at butas sa pinagsamang Ge/SiGe quantum wells.Ang hindi pangkaraniwang bagay na ito ay maaaring magamit upang makabuluhang mapabuti ang pagganap ng mga light modulator kumpara sa mga karaniwang diskarte na binuo sa ngayon sa silicon photonics.Sinukat namin ang mga pagbabago sa refractive index hanggang sa 2.3 × 10-3 sa isang bias na boltahe na 1.5 V na may kaukulang modulation efficiency VπLπ na 0.046 Vcm.Ang pagpapakitang ito ay nagbibigay daan para sa pagbuo ng mahusay na high-speed phase modulators batay sa Ge/SiGe material system.