Ang aplikasyon at prinsipyo ng sputtering target

Tungkol sa aplikasyon at prinsipyo ng sputtering target na teknolohiya, ang ilang mga customer ay kumunsulta sa RSM, ngayon para sa problemang ito na mas nag-aalala tungkol sa , ang mga teknikal na eksperto ay nagbabahagi ng ilang partikular na kaugnay na kaalaman.

　　Sputtering target na application:

Ang mga particle na nagcha-charge (gaya ng mga argon ions) ay bumaon sa isang solidong ibabaw, na nagiging sanhi ng paglabas ng mga particle sa ibabaw, gaya ng mga atom, molecule o bundle mula sa ibabaw ng object phenomenon na tinatawag na "sputtering".Sa magnetron sputtering coating, ang mga positibong ion na nabuo sa pamamagitan ng argon ionization ay karaniwang ginagamit upang bombahin ang solid (target), at ang mga sputtered neutral atoms ay idineposito sa substrate (workpiece) upang bumuo ng isang layer ng pelikula.Ang Magnetron sputtering coating ay may dalawang katangian: "mababang temperatura" at "mabilis".

　　Prinsipyo ng Magnetron sputtering:

Ang isang orthogonal magnetic field at electric field ay idinagdag sa pagitan ng sputtered target pole (cathode) at ng anode, at ang kinakailangang inert gas (karaniwan ay Ar gas) ay pinupuno sa mataas na vacuum chamber.Ang permanenteng magnet ay bumubuo ng isang 250-350 Gauss magnetic field sa ibabaw ng target na materyal, at bumubuo ng isang orthogonal electromagnetic field na may mataas na boltahe na electric field.

Sa ilalim ng pagkilos ng electric field, ang Ar gas ay na-ionize sa mga positibong ions at electron, at mayroong isang tiyak na negatibong mataas na presyon sa target, kaya ang mga electron na ibinubuga mula sa target na poste ay apektado ng magnetic field at ang posibilidad ng ionization ng gumagana. pagtaas ng gas.Ang isang high-density na plasma ay nabuo malapit sa katod, at ang mga Ar ions ay nagpapabilis sa target na ibabaw sa ilalim ng pagkilos ng Lorentz force at binomba ang target na ibabaw sa isang mataas na bilis, upang ang mga sputtered atoms sa target ay makatakas mula sa target na ibabaw na may mataas. kinetic energy at lumipad sa substrate upang bumuo ng isang pelikula ayon sa prinsipyo ng conversion ng momentum.

Ang magnetron sputtering ay karaniwang nahahati sa dalawang uri: DC sputtering at RF sputtering.Ang prinsipyo ng DC sputtering equipment ay simple, at ang rate ay mabilis kapag sputtering metal.Ang paggamit ng RF sputtering ay mas malawak, bilang karagdagan sa sputtering conductive na materyales, ngunit din sputtering non-conductive materyales, ngunit din reaktibo sputtering paghahanda ng oxides, nitride at carbide at iba pang mga compound na materyales.Kung tataas ang dalas ng RF, ito ay nagiging microwave plasma sputtering.Sa kasalukuyan, ang electron cyclotron resonance (ECR) type microwave plasma sputtering ay karaniwang ginagamit.