Ano ang polysilicon target

Ang polysilicon ay isang mahalagang sputtering target na materyal.Ang paggamit ng magnetron sputtering method upang ihanda ang SiO2 at iba pang manipis na pelikula ay maaaring gawing mas mahusay ang matrix material na optical, dielectric at corrosion resistance, na malawakang ginagamit sa touch screen, optical at iba pang industriya.

Ang proseso ng paghahagis ng mahabang kristal ay upang mapagtanto ang direksyon na solidification ng likidong silikon mula sa ibaba hanggang sa itaas nang unti-unti sa pamamagitan ng tumpak na pagkontrol sa temperatura ng heater sa mainit na larangan ng ingot furnace at ang pagwawaldas ng init ng thermal insulation material, at ang solidification mahabang kristal bilis ay 0.8~1.2cm/h.Kasabay nito, sa proseso ng itinuro na solidification, ang epekto ng paghihiwalay ng mga elemento ng metal sa mga materyales ng silikon, ang karamihan sa mga elemento ng metal ay maaaring linisin, at ang isang pare-parehong polycrystalline silicon na istraktura ng butil ay maaaring mabuo.

Ang paghahagis ng polysilicon ay kailangan ding sadyang i-doped sa proseso ng produksyon, upang mabago ang konsentrasyon ng mga impurities ng acceptor sa silicon melt.Ang pangunahing dopant ng p-type cast polysilicon sa industriya ay silicon boron master alloy, kung saan ang nilalaman ng boron ay halos 0.025%.Ang halaga ng doping ay tinutukoy ng target na resistivity ng silicon wafer.Ang pinakamainam na resistivity ay 0.02 ~ 0.05 Ω • cm, at ang katumbas na konsentrasyon ng boron ay humigit-kumulang 2 × 1014cm-3. Gayunpaman, ang segregation coefficient ng boron sa silikon ay 0.8, na magpapakita ng isang tiyak na epekto ng segregation sa proseso ng solidification ng direksyon, na ay, ang elemento ng boron ay ipinamamahagi sa isang gradient sa patayong direksyon ng ingot, at ang resistivity ay unti-unting bumababa mula sa ibaba hanggang sa tuktok ng ingot.